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| 產地類別 | 國產 |
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單晶少子壽命測試儀 型號：MHY-14351
MHY-14351型單晶少子壽命測試儀是參考美 A.S.T.M 標準而的用于測量硅單晶的非平衡少數載子壽命。半導體材料的少數載子壽命測量，是半導體的常規測試項目之。本儀器靈敏度較，配備有紅外光源，可測量包括集成電路硅單晶在內的各種類型硅單晶，以及經熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。
本儀器根據際通用方法頻光電導衰退法的原理，由穩壓電源、頻源、檢波放大器，制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺共五份組成。采用印刷電路和頻接插連接。整機結構緊湊、測量數據可靠。
術 標 ：
測試單晶電阻率范圍 >2Ω.cm
可測單晶少子壽命范圍 5μS～7000μS
配備光源類型 波長：1.09μm；余輝<1 μS；
閃光頻率為：20～30次／秒；
閃光頻率為：20～30次／秒；
頻振蕩源 用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz
前置放大器 放大倍數約25，頻寬2 Hz-1 MHz
儀器測量重復誤差 <±20％
測量方式 采用對標準曲線讀數方式
儀器消耗率 <25W
儀器作條件 溫度： 10-35℃、 濕度 < 80％、使用電源：AC 220V，50Hz
可測單晶尺寸 斷面豎測：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；
縱向臥測：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；
配用示波器 頻寬0—20MHz；
電壓靈敏：10mV／cm；
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